В Томске может появиться завод микроэлектроники

Совместный проект компании НПФ «Микран» (Томск) и Института физики полупроводников СО РАН (Новосибирск) может первым в Сибири получить средства из корпорации РОСНАНО.

Совместный проект компании НПФ «Микран» (Томск) и Института физики полупроводников СО РАН (Новосибирск) может первым в Сибири получить средства из корпорации РОСНАНО.

Как рассказал корреспонденту «КС» заместитель губернатора Томской области Владислав Зинченко, 3 декабря научно-технический совет РОСНАНО одобрил совместный проект компании НПФ «Микран» (Томск) и Института физики полупроводников СО РАН (Новосибирск) по разработке и организации промышленного производства электронной компонентной базы СВЧ-диапазона на основе GaAs-технологии (арсенид–галлиевые технологии) для систем телекоммуникаций и радиолокации. Исполнителем проекта является томская компания «Микран».

По словам Владислава Зинченко, общий объем инвестиций в проект оценивается в 2 млрд рублей. Большую часть финансирования (75%) по строительству фабрики возьмет на себя РОСНАНО. Построить новое производство предполагается в течение года.

Окончательное решение о финансировании проекта будет принято скорее всего до конца 2008 года. Руководитель управления планирования и контроллинга инвестиций Алексей Тягун сообщил корреспонденту «КС», что этому проекту осталось пройти инвестиционную экспертизу и утверждение на правлении РОСНАНО.

К настоящему моменту РОСНАНО утвердило к финансированию всего шесть проектов (из почти 750 заявок) из Москвы и Санкт-Петербурга. Научно-технический совет РОСНАНО прошли девять проектов, в том числе проект из Томской области.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ